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2021年，按照相關(guān)數(shù)據(jù)，國內(nèi)進口芯片金額近4400億美元，創(chuàng)下歷史記錄。芯片金額在所有進口商品中占比高達28.6%?？梢妵鴥?nèi)對國外芯片的依賴度。所以我們都希望國產(chǎn)芯片能夠迅速崛起，提高自給率，減少進口。
而基于當(dāng)前大家都懂的外部形勢，想要達到提高自己率，就要求是內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈能夠崛起，尤其是半導(dǎo)體設(shè)備，能夠達到先進工藝，這樣才不會被卡脖子。
那么目前所有國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備中，究竟哪一種是最落后的，最需要突破的?其實最落后的，就是大家最熟悉的光刻機。眾所周知，芯片的制造工序特別多，需要的半導(dǎo)體設(shè)備也特別多，但主要可以分為三個主要步驟，那就是單晶硅片制造、前道工序、后道工序。
單晶硅片制造就是把砂子變成晶圓的過程，這一塊目前國內(nèi)有300mm的晶圓，可以用于10nm以下，所以這一塊的國產(chǎn)設(shè)備，并不落后。
前道工序有8個主要流程，分別是擴散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測試，所以至少有8種關(guān)鍵設(shè)備。這8種關(guān)鍵設(shè)備里面，只有國產(chǎn)光刻機目前還在90nm，其它的設(shè)備大多到了28nm，甚至14nm的程度，有些甚至到了5nm，3nm，比如刻蝕機。而后道工序主要是指封測這一塊，目前國內(nèi)有三大廠商，早就到了5nm，基本上國內(nèi)也是處于全球先進水平的?？梢姡C合起來看，真正最拖后腿的就是國產(chǎn)光刻機了，還在90nm，而芯片制造是遵循短板理論的，能夠制造多少nm的芯片，取決于最落后的那一環(huán)，所以光刻機必須突破，所以永遠拖后腿，嚴重阻礙國產(chǎn)芯片的崛起了。
光刻機的路程還是有一段路要走的。
對于光刻機技術(shù)來說，90納米是一個技術(shù)步驟;45納米是一個技術(shù)步驟;22納米是一個技術(shù)步驟.把90納米的技術(shù)升級到65納米并不難，但是45納米比65納米難多了。我們要一步一個腳印的走下去。
其實我國的軍用芯片大部分都是國產(chǎn)的，我們擁有全套的軍用芯片制造設(shè)備和技術(shù)。我們知道如何制造芯片，也擁有自己的光刻機。目前欠缺的是民用芯片的設(shè)備和制造。
因為市場和成本，民用產(chǎn)品多用進口設(shè)備制造。目前最高端的光刻機來自荷蘭ASML，而擁有荷蘭ASML光刻機的行業(yè)巨頭臺積電和三星則在全球缺芯危機來臨之時，直接壟斷了7nm芯片業(yè)務(wù)。
雖然短期內(nèi)因為光刻機局限了民用芯片，但是壯大民用芯片的制造和生產(chǎn)只是時間問題。相信在不久的將來，我們國內(nèi)制造業(yè)一定能夠迎來國產(chǎn)芯片的大爆發(fā)。【1】
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盡管我司最新一代智能型力矩電機控制器采用的是 進口ARM內(nèi)核32位芯片 作為主控系統(tǒng)。但是我們也依舊期待著國產(chǎn)芯片的強大，并在未來不在依靠進口芯片，可以自豪地在所有的產(chǎn)品上更換上國產(chǎn)芯片。
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【1】選自《中國傳動網(wǎng)》